Infineon Technologies IPAW60R190CEXKSA1

IPAW60R190CEXKSA1
제조업체 부품 번호
IPAW60R190CEXKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 600V TO220-3
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내부 부품 번호EIS-IPAW60R190CEXKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPAW60R190CE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C26.7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 9.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 630µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs63nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1400pF @ 100V
전력 - 최대34W
작동 온도-40°C ~ 150°C
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지PG-TO220 풀팩(Full Pack)
표준 포장 450
다른 이름SP001391612
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPAW60R190CEXKSA1
관련 링크IPAW60R190, IPAW60R190CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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RES SMD 6.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRC076R2L.pdf
IDM29705JC NS CDIP IDM29705JC.pdf
BCR158W NXP SMD or Through Hole BCR158W.pdf
P320ALC22 ORIGINAL QFP P320ALC22.pdf
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TSUMU18EJ-LF-1 MSTAR PQFP 128 TSUMU18EJ-LF-1.pdf