창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPAW60R190CEXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPAW60R190CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 450 | |
| 다른 이름 | SP001391612 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPAW60R190CEXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPAW60R190, IPAW60R190CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A390J4T2A | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A390J4T2A.pdf | |
![]() | 416F27133IAR | 27.12MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133IAR.pdf | |
![]() | RC14KT15K0 | RES 15K OHM 1/4W 10% AXIAL | RC14KT15K0.pdf | |
![]() | SMBD6100 | SMBD6100 INFINEON SMD | SMBD6100.pdf | |
![]() | PC87391DG/K1 A3 | PC87391DG/K1 A3 NS QFP | PC87391DG/K1 A3.pdf | |
![]() | 100123F | 100123F S/PHILIPS CDIP24 | 100123F.pdf | |
![]() | 6MBP100RH060-01 | 6MBP100RH060-01 FUJI SMD or Through Hole | 6MBP100RH060-01.pdf | |
![]() | 95010W6/ 6 | 95010W6/ 6 ST SOP-8 | 95010W6/ 6.pdf | |
![]() | 0805473Z | 0805473Z SAMSUNG SMD or Through Hole | 0805473Z.pdf | |
![]() | 2SB205 | 2SB205 SHI TO-3 | 2SB205.pdf | |
![]() | FCR125-3921FT | FCR125-3921FT ROBERTGALLEN SMD or Through Hole | FCR125-3921FT.pdf |