창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPAN60R650CEXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPAN60R650CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 82W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001508816 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPAN60R650CEXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPAN60R650, IPAN60R650CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A390JBEAT4X | 39pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A390JBEAT4X.pdf | |
![]() | RT0603DRE0753K6L | RES SMD 53.6KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0753K6L.pdf | |
![]() | MCS04020C3241FE000 | RES SMD 3.24K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C3241FE000.pdf | |
![]() | ESR10EZPF4870 | RES SMD 487 OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF4870.pdf | |
![]() | RG3216P-5103-B-T5 | RES SMD 510K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-5103-B-T5.pdf | |
![]() | CMF50147K00FHEK | RES 147K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50147K00FHEK.pdf | |
![]() | FC30 | FC30 ORIGINAL SMD or Through Hole | FC30.pdf | |
![]() | M58W016 | M58W016 ST BGA | M58W016.pdf | |
![]() | 826196-1 | 826196-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 826196-1.pdf | |
![]() | TRA3L-24VDC-S-2H | TRA3L-24VDC-S-2H TIANBO DIP | TRA3L-24VDC-S-2H.pdf | |
![]() | XL2003TRE1 | XL2003TRE1 xlsemi SOP8L-EP | XL2003TRE1.pdf | |
![]() | SD2G685M1012MBB180 | SD2G685M1012MBB180 SAMWHA SMD or Through Hole | SD2G685M1012MBB180.pdf |