창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA90R800C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA90R800C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 460µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA90R800C3XKSA1 SP000413718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA90R800C3 | |
관련 링크 | IPA90R, IPA90R800C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
865080649013 | 47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 865080649013.pdf | ||
B37979G5122J000 | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37979G5122J000.pdf | ||
FOXSLF/040 | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | FOXSLF/040.pdf | ||
RC1608F244CS | RES SMD 240K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F244CS.pdf | ||
RNCF0805BTC27K4 | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTC27K4.pdf | ||
RD8.2F-T7/JM | RD8.2F-T7/JM ORIGINAL SMD or Through Hole | RD8.2F-T7/JM.pdf | ||
NJM360M-TE3/2 | NJM360M-TE3/2 JRC DMP8 | NJM360M-TE3/2.pdf | ||
FM24C16ULVM8 | FM24C16ULVM8 FAIRCHILD SOP-8 | FM24C16ULVM8.pdf | ||
ATF38143 | ATF38143 Agilent SOT-343 | ATF38143.pdf | ||
K7I163682B-FC25T00 | K7I163682B-FC25T00 SAMSUNG BGA165 | K7I163682B-FC25T00.pdf | ||
REMX-CAA-PSA | REMX-CAA-PSA AMIS SOP | REMX-CAA-PSA.pdf |