창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA65R380C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R380C6 | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 3.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 320µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA65R380C6 IPA65R380C6-ND SP000720896 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA65R380C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA65R380, IPA65R380C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MBR440MFST3G | DIODE SCHOTTKY 40V 4A 5DFN | MBR440MFST3G.pdf | |
![]() | 4816P-1-203F | RES ARRAY 8 RES 20K OHM 16SOIC | 4816P-1-203F.pdf | |
![]() | Y1692V0331VV0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y1692V0331VV0L.pdf | |
![]() | VRB1212LD-15WH | VRB1212LD-15WH MORNSUN SMD or Through Hole | VRB1212LD-15WH.pdf | |
![]() | NCP603SN150T1G | NCP603SN150T1G ON SMD or Through Hole | NCP603SN150T1G.pdf | |
![]() | 40TPS12APB | 40TPS12APB ir TO-247 | 40TPS12APB.pdf | |
![]() | PX0410/06S/6065 | PX0410/06S/6065 BULGIN SMD or Through Hole | PX0410/06S/6065.pdf | |
![]() | S3C6400XL-63 | S3C6400XL-63 SAMSUNG BGA | S3C6400XL-63.pdf | |
![]() | PLF2800E V1.3 | PLF2800E V1.3 Infineon BGA | PLF2800E V1.3.pdf | |
![]() | BRC114EMP TEL:82766440 | BRC114EMP TEL:82766440 RENESAS SOT23 | BRC114EMP TEL:82766440.pdf | |
![]() | HP2130 | HP2130 HP DIP8 | HP2130.pdf |