창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA65R280E6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R280E6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA65R280E6XKSA1 SP000795276 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA65R280E6 | |
| 관련 링크 | IPA65R, IPA65R280E6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1387413 | 1387413 FRI SMD or Through Hole | 1387413.pdf | |
![]() | 1084-2.5 | 1084-2.5 PJ TO-252 | 1084-2.5.pdf | |
![]() | SXE100VB121M16X15LL | SXE100VB121M16X15LL UnitedCHEMI-CON DIP-2 | SXE100VB121M16X15LL.pdf | |
![]() | EB-5662RE | EB-5662RE ORIGINAL SMD | EB-5662RE.pdf | |
![]() | MC78M12DT-T4 | MC78M12DT-T4 MOT SMD or Through Hole | MC78M12DT-T4.pdf | |
![]() | 601-2108-14 | 601-2108-14 MARATHON/KULKA SMD or Through Hole | 601-2108-14.pdf | |
![]() | CD43-470UH | CD43-470UH LY SMD | CD43-470UH.pdf | |
![]() | THC63LVD108 | THC63LVD108 THINE SMD or Through Hole | THC63LVD108.pdf | |
![]() | TSOP38236SB1 | TSOP38236SB1 VISHAY DIP3 | TSOP38236SB1.pdf | |
![]() | ULS2068H/883 | ULS2068H/883 ALLEGRO CDIP | ULS2068H/883.pdf | |
![]() | 3.0SMCJ6.5 | 3.0SMCJ6.5 PANJIT SMC | 3.0SMCJ6.5.pdf |