창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA65R280E6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R280E6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA65R280E6XKSA1 SP000795276 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA65R280E6 | |
| 관련 링크 | IPA65R, IPA65R280E6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1N3344A | DIODE ZENER 130V 50W DO5 | 1N3344A.pdf | |
![]() | AT0805DRE073K74L | RES SMD 3.74K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE073K74L.pdf | |
![]() | RHC2512FT390R | RES SMD 390 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT390R.pdf | |
![]() | CMF55102R40BHBF | RES 102.4 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55102R40BHBF.pdf | |
![]() | Y007579R9700B0L | RES 79.97 OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y007579R9700B0L.pdf | |
![]() | SPW47N60S5 | SPW47N60S5 IFN TO247 | SPW47N60S5.pdf | |
![]() | 104/2000V | 104/2000V ORIGINAL SMD or Through Hole | 104/2000V.pdf | |
![]() | FK2125T2102C500T | FK2125T2102C500T ORIGINAL 2125 | FK2125T2102C500T.pdf | |
![]() | CD420860 | CD420860 PRX SMD or Through Hole | CD420860.pdf | |
![]() | LT1210-1R2J-N | LT1210-1R2J-N YAGEO SMD | LT1210-1R2J-N.pdf | |
![]() | R3150N001F-TR-F | R3150N001F-TR-F RICOH SOT-23 | R3150N001F-TR-F.pdf |