창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA65R190CFD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R190CFD | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 730µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1850pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA65R190CFDXKSA1 SP000905382 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA65R190CFD | |
관련 링크 | IPA65R1, IPA65R190CFD 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C430C332J1G5TA7200 | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.150" Dia x 0.290" L(3.81mm x 7.37mm) | C430C332J1G5TA7200.pdf | ||
VJ0402D6R2DLBAP | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D6R2DLBAP.pdf | ||
SIT8008AI-23-33E-58.000000E | OSC XO 3.3V 58MHZ OE | SIT8008AI-23-33E-58.000000E.pdf | ||
CRCW0805510RJNEA | RES SMD 510 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW0805510RJNEA.pdf | ||
AK6417AL | AK6417AL AKM QFN | AK6417AL.pdf | ||
FH4-5203 | FH4-5203 P/N SIP-9P | FH4-5203.pdf | ||
21531S | 21531S SOP IR | 21531S.pdf | ||
TC55257CS | TC55257CS TOSHIBA DIP | TC55257CS.pdf | ||
98DX-163-A2 | 98DX-163-A2 ORIGINAL BGA | 98DX-163-A2.pdf | ||
XO53B 1MHZ | XO53B 1MHZ Vishay/Dale SMD or Through Hole | XO53B 1MHZ.pdf | ||
MC1589D | MC1589D PHILIPS SOP | MC1589D.pdf | ||
LQG15HN6N8J | LQG15HN6N8J ORIGINAL 04026.8N | LQG15HN6N8J.pdf |