창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R800CEXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD60R800CE, IPA60R800CE | |
주요제품 | Infineon CoolMOS CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 170µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 373pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 27W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001276046 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA60R800CEXKSA1 | |
관련 링크 | IPA60R800, IPA60R800CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 08051C103J4T2A | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08051C103J4T2A.pdf | |
![]() | VJ0402D3R9DLCAP | 3.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R9DLCAP.pdf | |
![]() | 402F26022IAT | 26MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26022IAT.pdf | |
![]() | 8730EEA06 | 8730EEA06 ORIGINAL PLCC18 | 8730EEA06.pdf | |
![]() | SM718G AA | SM718G AA SM BGA | SM718G AA.pdf | |
![]() | UP789114MC-503-5A4-E2 | UP789114MC-503-5A4-E2 NEC SOP | UP789114MC-503-5A4-E2.pdf | |
![]() | NMC27C64 | NMC27C64 NCS DIP | NMC27C64.pdf | |
![]() | CY54FCT399TLMB | CY54FCT399TLMB CYPRESS LCC20 | CY54FCT399TLMB.pdf | |
![]() | AU61V005K0 | AU61V005K0 E&T SMD or Through Hole | AU61V005K0.pdf | |
![]() | N82C42PD | N82C42PD INT SMD or Through Hole | N82C42PD.pdf | |
![]() | PM4G-1141H | PM4G-1141H PPT SMD or Through Hole | PM4G-1141H.pdf |