창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R650CEXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD60R650CE, IPA60R650CE | |
| 주요제품 | Infineon CoolMOS CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 28W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001276044 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R650CEXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA60R650, IPA60R650CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CL10B105MO8NNWC | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10B105MO8NNWC.pdf | |
![]() | C0805C224J3RALTU | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C224J3RALTU.pdf | |
![]() | FWP-50B | FUSE 50A 700V | FWP-50B.pdf | |
| 590GD-ADG | 10MHz ~ 124.999MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 90mA Enable/Disable | 590GD-ADG.pdf | ||
![]() | M29W022BT55K1 | M29W022BT55K1 ST SMD or Through Hole | M29W022BT55K1.pdf | |
![]() | C3216C0G1H223K | C3216C0G1H223K TDK SMD or Through Hole | C3216C0G1H223K.pdf | |
![]() | MAX1904AI | MAX1904AI MAXIM SOP | MAX1904AI.pdf | |
![]() | LM3882 | LM3882 ORIGINAL SOP | LM3882.pdf | |
![]() | 216DP8ANA12H M9+X | 216DP8ANA12H M9+X ATI BGA | 216DP8ANA12H M9+X.pdf | |
![]() | ABG04I8M | ABG04I8M ON MSOP-16 | ABG04I8M.pdf | |
![]() | HCB2012KF-101T40 | HCB2012KF-101T40 TAI-TECH SMD or Through Hole | HCB2012KF-101T40.pdf |