창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R520E6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R520E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 230µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 512pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 29W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA60R520E6XKSA1 SP000797614 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA60R520E6 | |
관련 링크 | IPA60R, IPA60R520E6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 2-1761465-1 | 2-1761465-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 2-1761465-1.pdf | |
![]() | 4114R-064-122/681 | 4114R-064-122/681 BOURNS DIP-14 | 4114R-064-122/681.pdf | |
![]() | MB90F883CPMC-GE1 | MB90F883CPMC-GE1 FUJISTU N A | MB90F883CPMC-GE1.pdf | |
![]() | SOT05 | SOT05 Willas SOT-23 | SOT05.pdf | |
![]() | QP-200DPFCQP-200-3D | QP-200DPFCQP-200-3D ORIGINAL SMD or Through Hole | QP-200DPFCQP-200-3D.pdf | |
![]() | SCD0705T-220M-N | SCD0705T-220M-N HILISIN SMD | SCD0705T-220M-N.pdf | |
![]() | CAT9532HV6I-GT2TR | CAT9532HV6I-GT2TR ON QFN-24 | CAT9532HV6I-GT2TR.pdf | |
![]() | BPH4B64C22Z5 | BPH4B64C22Z5 FCI SMD or Through Hole | BPH4B64C22Z5.pdf | |
![]() | NB0805SD223JB | NB0805SD223JB GESensing SMD | NB0805SD223JB.pdf | |
![]() | DG419LDY+ | DG419LDY+ MAXIM SOP8 | DG419LDY+.pdf | |
![]() | S-8054ALR-LN-T2 | S-8054ALR-LN-T2 SEIKO SOT-89 | S-8054ALR-LN-T2.pdf |