창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R380C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA60R380C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 3.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 320µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA60R380C6XKSA1 SP000660632 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R380C6 | |
| 관련 링크 | IPA60R, IPA60R380C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R7BLAAP | 1.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R7BLAAP.pdf | |
![]() | PAT0805E2613BST1 | RES SMD 261K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E2613BST1.pdf | |
![]() | UDA1325H/106 | UDA1325H/106 PHILIPS QFP80 | UDA1325H/106.pdf | |
![]() | ST4164D6 | ST4164D6 ST SOP8 | ST4164D6.pdf | |
![]() | CD4008 #T | CD4008 #T ORIGINAL IC | CD4008 #T.pdf | |
![]() | STBB513 | STBB513 EIC SMA | STBB513.pdf | |
![]() | 900202-4 | 900202-4 HAEDONG SMD or Through Hole | 900202-4.pdf | |
![]() | TEESVP0G226M8R | TEESVP0G226M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVP0G226M8R.pdf | |
![]() | DTC143ESATP | DTC143ESATP ROHM SPT(SC-72) | DTC143ESATP.pdf | |
![]() | SS-4MEFA18-IND | SS-4MEFA18-IND HongKongCrystal -40 85 | SS-4MEFA18-IND.pdf |