창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R330P6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R330P6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 370µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1010pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001017074 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R330P6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA60R330, IPA60R330P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | STB10N60M2 | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | STB10N60M2.pdf | |
![]() | RN73C2A100KBTDF | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A100KBTDF.pdf | |
![]() | AT1206BRD07191KL | RES SMD 191K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07191KL.pdf | |
![]() | Y0060350R000T0L | RES 350 OHM 1/4W 0.01% AXIAL | Y0060350R000T0L.pdf | |
![]() | 15C02CH | 15C02CH SANYO SOT23 | 15C02CH.pdf | |
![]() | 10EP3 | 10EP3 Corcom SMD or Through Hole | 10EP3.pdf | |
![]() | UL1591-24AWG-R-19*0.12 | UL1591-24AWG-R-19*0.12 NISSEI SMD or Through Hole | UL1591-24AWG-R-19*0.12.pdf | |
![]() | 3-520340-2 | 3-520340-2 TYCO 2200 | 3-520340-2.pdf | |
![]() | KIA7445F-RTF | KIA7445F-RTF KEC SOT89 | KIA7445F-RTF.pdf | |
![]() | K9F5608UOC-J(D)IBO | K9F5608UOC-J(D)IBO SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F5608UOC-J(D)IBO.pdf | |
![]() | HD64620P | HD64620P ORIGINAL DIP | HD64620P.pdf |