창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R1K0CEXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA60R1K0CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 26W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001429478 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R1K0CEXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA60R1K0, IPA60R1K0CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E6R4DA01D | 6.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E6R4DA01D.pdf | |
![]() | MHQ0603P20NHT000 | 20nH Unshielded Multilayer Inductor 160mA 2 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P20NHT000.pdf | |
![]() | ERJ-2RKF2001X | RES SMD 2K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF2001X.pdf | |
![]() | GFP-0.2A | GFP-0.2A Conquer SMD or Through Hole | GFP-0.2A.pdf | |
![]() | Q2687RD_0CN17E000 | Q2687RD_0CN17E000 WAVECOMSA original pack | Q2687RD_0CN17E000.pdf | |
![]() | M38154MA-106F | M38154MA-106F N/A N A | M38154MA-106F.pdf | |
![]() | HEP51 | HEP51 ASI TO-5 | HEP51.pdf | |
![]() | 8240-0180 | 8240-0180 FIBOX SMD or Through Hole | 8240-0180.pdf | |
![]() | S-80919ANMP-DDG-T2 | S-80919ANMP-DDG-T2 SEIKO SMD or Through Hole | S-80919ANMP-DDG-T2.pdf | |
![]() | SG8002JC39.6MPCC | SG8002JC39.6MPCC SEIKOEPSON PBF | SG8002JC39.6MPCC.pdf | |
![]() | TDK35101 | TDK35101 TDK DIP-4 | TDK35101.pdf | |
![]() | TZMA7.5-GS08 | TZMA7.5-GS08 ORIGINAL SMD or Through Hole | TZMA7.5-GS08.pdf |