창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R199CPXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA60R199CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1520pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA60R199CP IPA60R199CP-ND SP000094146 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R199CPXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA60R199, IPA60R199CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 04023J1R8QBWTR | 1.8pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J1R8QBWTR.pdf | |
![]() | CRCW1206365RFKTB | RES SMD 365 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206365RFKTB.pdf | |
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![]() | BCM56626A1KFSBG | BCM56626A1KFSBG BROADCOM BGA | BCM56626A1KFSBG.pdf | |
![]() | B9P-VH-B | B9P-VH-B JST SMD or Through Hole | B9P-VH-B.pdf | |
![]() | WR06X36R0FTL | WR06X36R0FTL WALSIN SMD or Through Hole | WR06X36R0FTL.pdf | |
![]() | MB88512-110M | MB88512-110M ANTISTATIC DIP | MB88512-110M.pdf | |
![]() | EA2-48SNJ | EA2-48SNJ NEC SMD or Through Hole | EA2-48SNJ.pdf |