Infineon Technologies IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1
제조업체 부품 번호
IPA60R190E6XKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
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내부 부품 번호EIS-IPA60R190E6XKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx60R190E6
제품 교육 모듈CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
PCN 설계/사양LeadFrame Design Chg 25/May/2016
PCN 조립/원산지Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20.2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 9.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 630µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs63nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1400pF @ 100V
전력 - 최대34W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지PG-TO-220-FP
표준 포장 500
다른 이름IPA60R190E6
IPA60R190E6-ND
SP000797380
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPA60R190E6XKSA1
관련 링크IPA60R190, IPA60R190E6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US 4P184F35IDT.pdf
RES SMD 14 OHM 1% 3/4W 2010 ERJ-12SF14R0U.pdf
RES SMD 1.21K OHM 1% 0.4W 0805 ESR10EZPF1211.pdf
RES SMD 324 OHM 0.1% 3/8W 0603 PHP00603E3240BBT1.pdf
RES 9.1K OHM 1/4W .02% AXIAL MHP-25PTA52-9K1.pdf
FDC655AN NL FAIRCHIL SMD or Through Hole FDC655AN NL.pdf
K1445 TOSHIBA TO220 K1445.pdf
A854CY-151M TOKO D73CT A854CY-151M.pdf
MIC2981/82YWM NA SMD or Through Hole MIC2981/82YWM.pdf
984A LUCENT DIP 984A.pdf
MC33263P ON DIP-8 MC33263P.pdf
L-3541ED PARA ROHS L-3541ED.pdf