창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R190E6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190E6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA60R190E6 IPA60R190E6-ND SP000797380 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R190E6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA60R190, IPA60R190E6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RNF14FTD11R3 | RES 11.3 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD11R3.pdf | |
![]() | SPUJ192900 | SPUJ192900 ALPS SMD or Through Hole | SPUJ192900.pdf | |
![]() | BA070 | BA070 GTM SOT-23 | BA070.pdf | |
![]() | SM1F01NF | SM1F01NF ORIGINAL TO220 | SM1F01NF.pdf | |
![]() | 74F245F | 74F245F PHI DIP | 74F245F.pdf | |
![]() | MAX8727ETB+T | MAX8727ETB+T MAXIM DFN | MAX8727ETB+T.pdf | |
![]() | BH9020F | BH9020F BH SMD or Through Hole | BH9020F.pdf | |
![]() | 3CX800A7 | 3CX800A7 China SMD or Through Hole | 3CX800A7.pdf | |
![]() | MAX3203EEBT+T | MAX3203EEBT+T MAXIM 5UCSP | MAX3203EEBT+T.pdf | |
![]() | DAC1265LJ | DAC1265LJ NSC SMD or Through Hole | DAC1265LJ.pdf | |
![]() | SP6682UEB | SP6682UEB Exar SMD or Through Hole | SP6682UEB.pdf |