창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R190E6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA60R190E6 IPA60R190E6-ND SP000797380 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA60R190E6XKSA1 | |
관련 링크 | IPA60R190, IPA60R190E6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 4P184F35IDT | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P184F35IDT.pdf | |
![]() | ERJ-12SF14R0U | RES SMD 14 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF14R0U.pdf | |
![]() | ESR10EZPF1211 | RES SMD 1.21K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF1211.pdf | |
![]() | PHP00603E3240BBT1 | RES SMD 324 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E3240BBT1.pdf | |
![]() | MHP-25PTA52-9K1 | RES 9.1K OHM 1/4W .02% AXIAL | MHP-25PTA52-9K1.pdf | |
![]() | FDC655AN NL | FDC655AN NL FAIRCHIL SMD or Through Hole | FDC655AN NL.pdf | |
![]() | K1445 | K1445 TOSHIBA TO220 | K1445.pdf | |
![]() | A854CY-151M | A854CY-151M TOKO D73CT | A854CY-151M.pdf | |
![]() | MIC2981/82YWM | MIC2981/82YWM NA SMD or Through Hole | MIC2981/82YWM.pdf | |
![]() | 984A | 984A LUCENT DIP | 984A.pdf | |
![]() | MC33263P | MC33263P ON DIP-8 | MC33263P.pdf | |
![]() | L-3541ED | L-3541ED PARA ROHS | L-3541ED.pdf |