창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R099P6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R099P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 14.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.21mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3330pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001114654 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA60R099P6XKSA1 | |
관련 링크 | IPA60R099, IPA60R099P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ASTMUPCE-33-200.000MHZ-EY-E-T | 200MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-200.000MHZ-EY-E-T.pdf | |
![]() | SCEP134S-6R4 | 6.4µH Shielded Inductor 8.5A 16.3 mOhm Max Nonstandard | SCEP134S-6R4.pdf | |
![]() | CPR033R300JE14 | RES 3.3 OHM 3W 5% RADIAL | CPR033R300JE14.pdf | |
![]() | ZOH0500A | 500 PPR 0.375 INCH THRU-BORE | ZOH0500A.pdf | |
![]() | CSTCC3M58G56A-R0 | CSTCC3M58G56A-R0 MURATA SMD | CSTCC3M58G56A-R0.pdf | |
![]() | RNXQ20 | RNXQ20 ORIGINAL SSOP | RNXQ20.pdf | |
![]() | GR8313T/DIP-8 | GR8313T/DIP-8 ORIGINAL DIP8 | GR8313T/DIP-8.pdf | |
![]() | LM4924MMX | LM4924MMX NS MSOP-10 | LM4924MMX.pdf | |
![]() | UPD65808GL-E55-NMU | UPD65808GL-E55-NMU NEC SMD or Through Hole | UPD65808GL-E55-NMU.pdf | |
![]() | ADM231LJRZ-REEL | ADM231LJRZ-REEL ADI SOP-16 | ADM231LJRZ-REEL.pdf | |
![]() | MLG1005S4N7STD07 | MLG1005S4N7STD07 TDK SMD or Through Hole | MLG1005S4N7STD07.pdf | |
![]() | LTS-5503AWC | LTS-5503AWC LITEON DIP | LTS-5503AWC.pdf |