창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R060C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA60R060C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 15.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 800µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2850pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001385002 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R060C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA60R060, IPA60R060C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C1608NP01H271J080AA | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608NP01H271J080AA.pdf | |
![]() | TNPW080533K6BEEA | RES SMD 33.6K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080533K6BEEA.pdf | |
| SBL4R033J | RES 0.033 OHM 4W 5% AXIAL | SBL4R033J.pdf | ||
![]() | B65855A0063D038 | B65855A0063D038 epcos SMD or Through Hole | B65855A0063D038.pdf | |
![]() | KRN-K2XX-STR7XX-P-P1-PDLN | KRN-K2XX-STR7XX-P-P1-PDLN Micrium SMD or Through Hole | KRN-K2XX-STR7XX-P-P1-PDLN.pdf | |
![]() | 0402HS-7N5EJTS | 0402HS-7N5EJTS DELTA 4kreel | 0402HS-7N5EJTS.pdf | |
![]() | HI13SS/SA/SSA/SG | HI13SS/SA/SSA/SG HI CAN3 | HI13SS/SA/SSA/SG.pdf | |
![]() | SI7806DN | SI7806DN VISHAY QFN | SI7806DN.pdf | |
![]() | 20MA10 | 20MA10 IR DO-5 | 20MA10.pdf | |
![]() | 10V470M | 10V470M sanyo DIP | 10V470M.pdf | |
![]() | 74HC164G | 74HC164G NEC SOP | 74HC164G.pdf | |
![]() | VS/VE18-3E3840 | VS/VE18-3E3840 SICK SMD or Through Hole | VS/VE18-3E3840.pdf |