창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA50R800CEXKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 500V CoolMOS CE Brief IPA50R800CE | |
| 애플리케이션 노트 | 500V CoolMOS CE Application Note | |
| 주요제품 | Infineon CoolMOS CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 1.5A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 26.4W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001217234 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA50R800CEXKSA2 | |
| 관련 링크 | IPA50R800, IPA50R800CEXKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW0201220KJNED | RES SMD 220K OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW0201220KJNED.pdf | |
![]() | AC2010FK-07127RL | RES SMD 127 OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-07127RL.pdf | |
![]() | Y000760K0000B0L | RES 60K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000760K0000B0L.pdf | |
![]() | SDS20U20S | SDS20U20S FSC SMD or Through Hole | SDS20U20S.pdf | |
![]() | 22426UFVZ | 22426UFVZ ORIGINAL SOP-14L | 22426UFVZ.pdf | |
![]() | NCP631 | NCP631 ORIGINAL 263-5 | NCP631.pdf | |
![]() | TPA40222DRPR | TPA40222DRPR BB/TI QFN6 | TPA40222DRPR.pdf | |
![]() | KSC2690AYS-BULK-LF | KSC2690AYS-BULK-LF Fairchild SMD or Through Hole | KSC2690AYS-BULK-LF.pdf | |
![]() | K4H511638BUCB3 | K4H511638BUCB3 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4H511638BUCB3.pdf | |
![]() | PD6730-VC-A-AAW1C | PD6730-VC-A-AAW1C CIRRUSLOGIC TQFP-208 | PD6730-VC-A-AAW1C.pdf | |
![]() | NLF183T307X1C3D | NLF183T307X1C3D MURATA SMD | NLF183T307X1C3D.pdf |