창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA50R199CP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA50R199CP | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 660µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA50R199CPXKSA1 SP000236081 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA50R199CP | |
관련 링크 | IPA50R, IPA50R199CP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | C0603C0G1E9R1C030BG | 9.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E9R1C030BG.pdf | |
![]() | SMAJ64AE3/TR13 | TVS DIODE 64VWM 103VC SMAJ | SMAJ64AE3/TR13.pdf | |
![]() | 1PMT5955AE3/TR7 | DIODE ZENER 180V 3W DO216AA | 1PMT5955AE3/TR7.pdf | |
![]() | 741X163470JP | RES ARRAY 8 RES 47 OHM 1506 | 741X163470JP.pdf | |
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![]() | 80C51RA2-UL | 80C51RA2-UL ORIGINAL BGA | 80C51RA2-UL.pdf | |
![]() | MQ4CE(RHKUL) | MQ4CE(RHKUL) FREESCALE QFN | MQ4CE(RHKUL).pdf | |
![]() | HSO0008 | HSO0008 HIDLY SMD or Through Hole | HSO0008.pdf | |
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![]() | BSM100GAL120DLC | BSM100GAL120DLC EUPEC SMD or Through Hole | BSM100GAL120DLC.pdf | |
![]() | T62B0002 | T62B0002 ORIGINAL DIP | T62B0002.pdf |