창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA50R190CEXKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA50R190CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 6.2A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 510µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1137pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001364312 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA50R190CEXKSA2 | |
| 관련 링크 | IPA50R190, IPA50R190CEXKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206Y153JXGAT5Z | 0.015µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y153JXGAT5Z.pdf | |
![]() | 17333C | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 130 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder | 17333C.pdf | |
![]() | AA0201FR-07174RL | RES SMD 174 OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-07174RL.pdf | |
![]() | TMS9995 | TMS9995 TI DIP40 | TMS9995.pdf | |
![]() | MBCG22104-502CR-G- | MBCG22104-502CR-G- FUJ PGA | MBCG22104-502CR-G-.pdf | |
![]() | LTC3805IDD-5#TRPBF | LTC3805IDD-5#TRPBF ORIGINAL DFN10 | LTC3805IDD-5#TRPBF.pdf | |
![]() | DS-08K-V-OPEN | DS-08K-V-OPEN DIPTRONICSMANUFACTINC SMD or Through Hole | DS-08K-V-OPEN.pdf | |
![]() | FBR18ND12-P | FBR18ND12-P FUJITSU/ SMD | FBR18ND12-P.pdf | |
![]() | 100ME22HWN | 100ME22HWN SANYO DIP | 100ME22HWN.pdf |