창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA105N15N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA105N15N3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 37A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 40.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA105N15N3G IPA105N15N3GXKSA1 SP000677850 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA105N15N3 G | |
| 관련 링크 | IPA105N, IPA105N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 5425BL07A0200T | RF Balun 4.9GHz ~ 5.95GHz 50 / 200 Ohm 0402 (1005 Metric), 4 PC Pad | 5425BL07A0200T.pdf | |
![]() | 104693-4 | 104693-4 AMP/TYCO AMP | 104693-4.pdf | |
![]() | 25AA01A | 25AA01A MICROCHIP SOP8 | 25AA01A.pdf | |
![]() | G6K-2P-Y-5VDC | G6K-2P-Y-5VDC OMRON SMD or Through Hole | G6K-2P-Y-5VDC.pdf | |
![]() | 16P8R(1606)18R | 16P8R(1606)18R ORIGINAL 0402X8 | 16P8R(1606)18R.pdf | |
![]() | 220R/0805 | 220R/0805 ORIGINAL SMD or Through Hole | 220R/0805.pdf | |
![]() | 34124 | 34124 TYCO SMD or Through Hole | 34124.pdf | |
![]() | DIB7000P-211H | DIB7000P-211H DIBCOM BGA | DIB7000P-211H.pdf | |
![]() | NFORCE3-250GB-A2 | NFORCE3-250GB-A2 NVIDIA QFP BGA | NFORCE3-250GB-A2.pdf | |
![]() | QT0305 | QT0305 ORIGINAL SOP-8 | QT0305.pdf | |
![]() | MESI1005DL-T1 | MESI1005DL-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | MESI1005DL-T1.pdf | |
![]() | STK436TV | STK436TV SANYO SMD or Through Hole | STK436TV.pdf |