창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA093N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA093N06N3 G | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA093N06N3 G IPA093N06N3 G-ND IPA093N06N3G SP000451088 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA093N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPA093N06N, IPA093N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | LQW15AN9N3J80D | 9.3nH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 81 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN9N3J80D.pdf | |
![]() | 4302-271J | 270nH Unshielded Inductor 890mA 190 mOhm Max 2-SMD | 4302-271J.pdf | |
![]() | ST | ST ORIGINAL SMD or Through Hole | ST.pdf | |
![]() | PT78HT233V | PT78HT233V TI/BB SIPMODULE-3 | PT78HT233V.pdf | |
![]() | 15XROO | 15XROO Microchip SOP-8 | 15XROO.pdf | |
![]() | EXBV4V3ROJV | EXBV4V3ROJV PAN SMD or Through Hole | EXBV4V3ROJV.pdf | |
![]() | JM38510/33001CA | JM38510/33001CA ORIGINAL SMD or Through Hole | JM38510/33001CA.pdf | |
![]() | MB89567HPF-G-111-BND | MB89567HPF-G-111-BND FUJ QFP | MB89567HPF-G-111-BND.pdf | |
![]() | S875061EUP | S875061EUP SEIKO SMD or Through Hole | S875061EUP.pdf | |
![]() | HX7015 | HX7015 HIMAX FPC | HX7015.pdf | |
![]() | UPD6600AGS-B80-T1 | UPD6600AGS-B80-T1 NEC SMD | UPD6600AGS-B80-T1.pdf |