창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA057N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA057N08N3 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA057N08N3 G IPA057N08N3 G-ND IPA057N08N3G SP000454442 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA057N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPA057N08N, IPA057N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | MMP1W2P2K-F | 2.2µF Film Capacitor 65V 100V Polyester, Metallized Axial 0.630" W, 0.354" T x 1.063" L (16.00mm, 9.00mm x 27.00mm) | MMP1W2P2K-F.pdf | |
![]() | AT0402DRE072K49L | RES SMD 2.49KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE072K49L.pdf | |
![]() | RS02B2R500FS70 | RES 2.5 OHM 3W 1% WW AXIAL | RS02B2R500FS70.pdf | |
![]() | 104344-1 | 104344-1 AMP ORIGINAL | 104344-1.pdf | |
![]() | PI5USB14550-AZEE | PI5USB14550-AZEE PERICOM SMD or Through Hole | PI5USB14550-AZEE.pdf | |
![]() | 65HVD55DRG4 | 65HVD55DRG4 TI SOP14 | 65HVD55DRG4.pdf | |
![]() | SDC-14565-603/B | SDC-14565-603/B DDC CDIP36 | SDC-14565-603/B.pdf | |
![]() | 2SA1162-Y-T5L | 2SA1162-Y-T5L TOSHIBA SOT23-3 | 2SA1162-Y-T5L.pdf | |
![]() | T6A40(BS,H) | T6A40(BS,H) TOSHIBA SMD or Through Hole | T6A40(BS,H).pdf | |
![]() | PE9542H | PE9542H MOT SOP14 | PE9542H.pdf |