창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA057N06N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA057N06N3 G | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 58µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA057N06N3G IPA057N06N3GXKSA1 SP000457582 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA057N06N3 G | |
관련 링크 | IPA057N, IPA057N06N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
P4KE500-G | TVS DIODE DO41 | P4KE500-G.pdf | ||
NRS2012T1R5NGJ | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 90 mOhm Nonstandard | NRS2012T1R5NGJ.pdf | ||
PEC11R-4320F-N0012 | ENCODER | PEC11R-4320F-N0012.pdf | ||
FW-40-04-L-D-380-075-EP | FW-40-04-L-D-380-075-EP MAXIM QFN6 | FW-40-04-L-D-380-075-EP.pdf | ||
BA6526 | BA6526 ROHM SSOP | BA6526.pdf | ||
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NES110NR | NES110NR LUS SMD or Through Hole | NES110NR.pdf | ||
FP20R06KENG | FP20R06KENG ORIGINAL SMD or Through Hole | FP20R06KENG.pdf | ||
PTH12060WAST (NY) | PTH12060WAST (NY) TI SMD or Through Hole | PTH12060WAST (NY).pdf | ||
CC0201KRX5R6BB104(C0201-104K/10V) | CC0201KRX5R6BB104(C0201-104K/10V) YAGEO SMD or Through Hole | CC0201KRX5R6BB104(C0201-104K/10V).pdf |