창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA041N04NGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA041N04NG | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 70A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 45µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001191328 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA041N04NGXKSA1 | |
관련 링크 | IPA041N04, IPA041N04NGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TB-80.000MBD-T | 80MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | TB-80.000MBD-T.pdf | |
![]() | CRCW04022M49FKED | RES SMD 2.49M OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04022M49FKED.pdf | |
![]() | 30H80028-OOM | 30H80028-OOM HTC BGA | 30H80028-OOM.pdf | |
![]() | NM27C512Q120 | NM27C512Q120 FAI CDIP28 | NM27C512Q120.pdf | |
![]() | IMBH60-090 | IMBH60-090 FUJ TO-3P | IMBH60-090.pdf | |
![]() | KM2520EF/4ID-F01 | KM2520EF/4ID-F01 KINGBRIG SMD or Through Hole | KM2520EF/4ID-F01.pdf | |
![]() | 905-100 | 905-100 BIV SMD or Through Hole | 905-100.pdf | |
![]() | G1211T1U | G1211T1U GMT SMD or Through Hole | G1211T1U.pdf | |
![]() | PI3L100QX | PI3L100QX Pericom TSSOP | PI3L100QX.pdf | |
![]() | ME80251V1-000U-A99 | ME80251V1-000U-A99 SUNON MESeries3200RPM8 | ME80251V1-000U-A99.pdf | |
![]() | A73S | A73S ORIGINAL SOT-23 | A73S.pdf | |
![]() | CL31C221JINE | CL31C221JINE SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31C221JINE.pdf |