창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA037N08N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA037N08N3 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 41W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA037N08N3G IPA037N08N3GXKSA1 SP000446772 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA037N08N3 G | |
| 관련 링크 | IPA037N, IPA037N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| .jpg) | SR0805KR-073KL | RES SMD 3K OHM 10% 1/8W 0805 | SR0805KR-073KL.pdf | |
| .jpg) | RT0805DRD073K01L | RES SMD 3.01K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD073K01L.pdf | |
|  | 2455R90020674 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2455R90020674.pdf | |
|  | EM6353BX2SP3B-1.8+ | EM6353BX2SP3B-1.8+ EM SMD or Through Hole | EM6353BX2SP3B-1.8+.pdf | |
|  | 24STS06ALF | 24STS06ALF LB SOP-24 | 24STS06ALF.pdf | |
|  | TMPZ84C112AN-6 | TMPZ84C112AN-6 TOSHIBA SMD or Through Hole | TMPZ84C112AN-6.pdf | |
|  | 385102400060 | 385102400060 FINDER SMD or Through Hole | 385102400060.pdf | |
|  | HDC-200LB | HDC-200LB ZHONGXU SMD or Through Hole | HDC-200LB.pdf | |
|  | 215R4UBUC21 | 215R4UBUC21 AIT BGA | 215R4UBUC21.pdf | |
|  | CG80286-6C | CG80286-6C INTEL PGA | CG80286-6C.pdf | |
|  | IXTD36N50P | IXTD36N50P IXYS TO-247 | IXTD36N50P.pdf | |
|  | LPC10065ATE1R5M | LPC10065ATE1R5M KOA SMD | LPC10065ATE1R5M.pdf |