창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA037N08N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA037N08N3 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 41W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA037N08N3G IPA037N08N3GXKSA1 SP000446772 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA037N08N3 G | |
관련 링크 | IPA037N, IPA037N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | M51A00PA | M51A00PA EPSON DIP | M51A00PA.pdf | |
![]() | MB87M3500 | MB87M3500 FUJITSU BGA | MB87M3500.pdf | |
![]() | GZF5V6C | GZF5V6C VISHAY SOD123 | GZF5V6C.pdf | |
![]() | DF12E(3.0)-50DP-0.4V(86)(81) | DF12E(3.0)-50DP-0.4V(86)(81) HRS SMD or Through Hole | DF12E(3.0)-50DP-0.4V(86)(81).pdf | |
![]() | JNR15S080L87IAW-L | JNR15S080L87IAW-L JOYIN SMD or Through Hole | JNR15S080L87IAW-L.pdf | |
![]() | 2PC945P.412 | 2PC945P.412 NXP/PH SMD or Through Hole | 2PC945P.412.pdf | |
![]() | MI151 | MI151 Sanken N A | MI151.pdf | |
![]() | 1210 X7R 682 K 251NT | 1210 X7R 682 K 251NT TASUND SMD or Through Hole | 1210 X7R 682 K 251NT.pdf | |
![]() | CHN222GP | CHN222GP ORIGINAL SOT-523 | CHN222GP.pdf | |
![]() | AT24C08N 2I2.5 | AT24C08N 2I2.5 AT SOP-83.9 | AT24C08N 2I2.5.pdf | |
![]() | NC-F01D0005 | NC-F01D0005 ORIGINAL SMD or Through Hole | NC-F01D0005.pdf | |
![]() | 8075DTVA | 8075DTVA ORIGINAL TSOP44 | 8075DTVA.pdf |