Infineon Technologies IPA030N10N3 G

IPA030N10N3 G
제조업체 부품 번호
IPA030N10N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
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내부 부품 번호EIS-IPA030N10N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPA030N10N3 G
PCN 설계/사양LeadFrame Design Chg 25/May/2016
PCN 조립/원산지Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C79A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3m옴 @ 79A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 270µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs206nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14800pF @ 50V
전력 - 최대41W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지PG-TO220-FP
표준 포장 500
다른 이름IPA030N10N3G
IPA030N10N3GXKSA1
SP000464914
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPA030N10N3 G
관련 링크IPA030N, IPA030N10N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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