창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA029N06NXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA029N06N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 84A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 84A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 75µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5125pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001199858 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA029N06NXKSA1 | |
관련 링크 | IPA029N06, IPA029N06NXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LP037F23CDT | 3.6864MHz ±20ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP037F23CDT.pdf | |
![]() | CRGV2512F95K3 | RES SMD 95.3K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F95K3.pdf | |
![]() | TNPW1210221RBETA | RES SMD 221 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210221RBETA.pdf | |
![]() | RNMF14FTD732K | RES 732K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD732K.pdf | |
![]() | RR03J11RTB | RES 11.0 OHM 3W 5% AXIAL | RR03J11RTB.pdf | |
![]() | MIC38C42-1BM | Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 500kHz 14-SOIC | MIC38C42-1BM.pdf | |
![]() | VLN2001A | VLN2001A S DIP | VLN2001A.pdf | |
![]() | BYV24-900R | BYV24-900R PHI SMD or Through Hole | BYV24-900R.pdf | |
![]() | 3110KL04WB30P00 | 3110KL04WB30P00 BUSSMANN SMD or Through Hole | 3110KL04WB30P00.pdf | |
![]() | 25LSW270000M77X141 | 25LSW270000M77X141 RUBYCON DIP | 25LSW270000M77X141.pdf | |
![]() | S-24C04CI-K8T3U | S-24C04CI-K8T3U SII MSOP8 | S-24C04CI-K8T3U.pdf | |
![]() | IHLP5050CEE-R068 | IHLP5050CEE-R068 VISHAY SMD or Through Hole | IHLP5050CEE-R068.pdf |