창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMZ2AGZT108 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IMZ2AGZT108 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IMZ2AGZT108 | |
| 관련 링크 | IMZ2AG, IMZ2AGZT108 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 200HXG470MEFCSN22X35 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 200HXG470MEFCSN22X35.pdf | |
![]() | ES07B-GS18 | DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB | ES07B-GS18.pdf | |
![]() | AC1206FR-07910KL | RES SMD 910K OHM 1% 1/4W 1206 | AC1206FR-07910KL.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 4DB N5 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N5.pdf | |
![]() | RT1N441C-T12-1 / N3 | RT1N441C-T12-1 / N3 MITSUBISHI SOT-23 | RT1N441C-T12-1 / N3.pdf | |
![]() | DS1852B-000/T | DS1852B-000/T MAXIM BGA-25 | DS1852B-000/T.pdf | |
![]() | SG3844W | SG3844W ORIGINAL DIP | SG3844W.pdf | |
![]() | 10010B-E | 10010B-E ELMOS DIP18 | 10010B-E.pdf | |
![]() | CN1J4KTTD473J | CN1J4KTTD473J KOA SMD or Through Hole | CN1J4KTTD473J.pdf | |
![]() | TEA1716T/1 | TEA1716T/1 NXP SOP24 | TEA1716T/1.pdf | |
![]() | PMB7720H-V1.417 | PMB7720H-V1.417 INFINEON QFP1420-100 | PMB7720H-V1.417.pdf | |
![]() | ICL7612ACTV/883 | ICL7612ACTV/883 INTERSIL CAN8 | ICL7612ACTV/883.pdf |