창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMH1AT110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMH1, UMH1N, IMH1A | |
| 카탈로그 페이지 | 1637 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | SMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IMH1AT110-ND IMH1AT110TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IMH1AT110 | |
| 관련 링크 | IMH1A, IMH1AT110 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | MAL202119221E3 | 220µF 100V Aluminum Capacitors Axial, Can 610 mOhm 8000 Hrs @ 85°C | MAL202119221E3.pdf | |
|  | SMBG8.5A-E3/52 | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMB | SMBG8.5A-E3/52.pdf | |
|  | ERJ-S12F4021U | RES SMD 4.02K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F4021U.pdf | |
|  | BLM31AF700SN1B | BLM31AF700SN1B MURATA SMD or Through Hole | BLM31AF700SN1B.pdf | |
|  | RN5RG48AA-TR | RN5RG48AA-TR RICOH SOT-153 | RN5RG48AA-TR.pdf | |
|  | XC9572XL_10TQ100C | XC9572XL_10TQ100C XILINX SMD or Through Hole | XC9572XL_10TQ100C.pdf | |
|  | S1D13706FOOAI | S1D13706FOOAI ORIGINAL QFP | S1D13706FOOAI.pdf | |
|  | ELS-315SURWA/S530-A3 | ELS-315SURWA/S530-A3 ORIGINAL SMD or Through Hole | ELS-315SURWA/S530-A3.pdf | |
|  | TAAD226M050RNJ | TAAD226M050RNJ AVX D | TAAD226M050RNJ.pdf | |
|  | IR 2302 | IR 2302 IOR DIP-8 | IR 2302.pdf | |
|  | L119B | L119B NSC QFN | L119B.pdf | |
|  | CAT4103VG | CAT4103VG ON SMD or Through Hole | CAT4103VG.pdf |