창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMH10AT110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMH1, UMH1N, IMH1A | |
| 카탈로그 페이지 | 1637 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | SMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IMH10AT110TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IMH10AT110 | |
| 관련 링크 | IMH10A, IMH10AT110 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-3EKF1304V | RES SMD 1.3M OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF1304V.pdf | |
![]() | PAT0805E1300BST1 | RES SMD 130 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1300BST1.pdf | |
![]() | CA11172_TINA2-D-MX6 | CA11172_TINA2-D-MX6 LEDILOY SMD or Through Hole | CA11172_TINA2-D-MX6.pdf | |
![]() | IRLZS14 | IRLZS14 SEC TO-220 | IRLZS14.pdf | |
![]() | 3506A-01 | 3506A-01 PS/GPS DIP24 | 3506A-01.pdf | |
![]() | 1460A | 1460A EUROSIL DIP8 | 1460A.pdf | |
![]() | BGA430E6327/PH | BGA430E6327/PH infineon SMD or Through Hole | BGA430E6327/PH.pdf | |
![]() | BQ76PL536ATPAPRQ1 | BQ76PL536ATPAPRQ1 ORIGINAL SMD or Through Hole | BQ76PL536ATPAPRQ1.pdf | |
![]() | L7806CF | L7806CF ORIGINAL SMD or Through Hole | L7806CF.pdf | |
![]() | 90121-0770 | 90121-0770 MOLEX SMD or Through Hole | 90121-0770.pdf | |
![]() | HQF32abR | HQF32abR ORIGINAL SMD or Through Hole | HQF32abR.pdf |