홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » IMD9AT108

Rohm Semiconductor IMD9AT108

IMD9AT108
제조업체 부품 번호
IMD9AT108
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
IMD9AT108 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 84.94200
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IMD9AT108 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. IMD9AT108 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IMD9AT108가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IMD9AT108 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IMD9AT108 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IMD9AT108
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMD9, UMD9N, IMD9A
카탈로그 페이지 1638 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지SMT6
표준 포장 3,000
다른 이름IMD9AT108TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IMD9AT108
관련 링크IMD9A, IMD9AT108 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
IMD9AT108 의 관련 제품
1000pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) VJ1808A102KBLAT4X.pdf
RES 1.8 OHM 5W 5% RADIAL CPCP051R800JE321.pdf
MDAM ORIGINAL SMD28 MDAM.pdf
LFE2M35E-7F256CES NULL NULL LFE2M35E-7F256CES.pdf
F5042 FUJI TO-252 F5042.pdf
FTR-H2AK012T FUJITSURELAY SMD or Through Hole FTR-H2AK012T.pdf
DA-04 ORIGINAL SMD or Through Hole DA-04.pdf
DSP-540 N/A DIP-5 DSP-540.pdf
L-937GYW ORIGINAL SMD or Through Hole L-937GYW.pdf
8EWS08SPBF IR TO-252 8EWS08SPBF.pdf
284513-3 TYCO SMD or Through Hole 284513-3.pdf
SC99861CFN MOTO PLCC-44 SC99861CFN.pdf