창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMB9AT110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMB9, UMB9N, IMB9A | |
| 카탈로그 페이지 | 1638 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | SMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IMB9AT110 | |
| 관련 링크 | IMB9A, IMB9AT110 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PTN1206E7060BST1 | RES SMD 706 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E7060BST1.pdf | |
![]() | CMF5017R800FKEK | RES 17.8 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5017R800FKEK.pdf | |
![]() | G2RL2448DC | G2RL2448DC OMRON SMD or Through Hole | G2RL2448DC.pdf | |
![]() | SD1A227M05011PA18P | SD1A227M05011PA18P SAMWHA SMD or Through Hole | SD1A227M05011PA18P.pdf | |
![]() | ST62T09C6 | ST62T09C6 STM SOP-20 | ST62T09C6.pdf | |
![]() | RN2115FT | RN2115FT TOSHIBA SOT-523 | RN2115FT.pdf | |
![]() | ST24W02M6TR | ST24W02M6TR ST SOP8 | ST24W02M6TR.pdf | |
![]() | CS5376-BQ | CS5376-BQ CIR SMD or Through Hole | CS5376-BQ.pdf | |
![]() | HI3-5502-5 | HI3-5502-5 CD SMD or Through Hole | HI3-5502-5.pdf | |
![]() | PHE426DJ6150JR05 | PHE426DJ6150JR05 EVOXRIFA/Kemet SMD or Through Hole | PHE426DJ6150JR05.pdf | |
![]() | IPS73701 | IPS73701 TI QFN | IPS73701.pdf | |
![]() | AD7543GP | AD7543GP AD N A | AD7543GP.pdf |