창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMB4AT110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMB3, UMB3N, IMB3A | |
| 카탈로그 페이지 | 1638 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | SMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IMB4AT110-ND IMB4AT110TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IMB4AT110 | |
| 관련 링크 | IMB4A, IMB4AT110 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC0100FR-07187RL | RES SMD 187 OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-07187RL.pdf | |
![]() | RG1608P-1690-B-T5 | RES SMD 169 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-1690-B-T5.pdf | |
![]() | C7R24JT | RES 0.24 OHM 7W 5% AXIAL | C7R24JT.pdf | |
![]() | R121N501D | R121N501D RICOH SMD or Through Hole | R121N501D.pdf | |
![]() | C0402X7R152PF | C0402X7R152PF TDK/ SMD or Through Hole | C0402X7R152PF.pdf | |
![]() | DR22B5-MB | DR22B5-MB FUJI SMD or Through Hole | DR22B5-MB.pdf | |
![]() | MCP1407-E/P | MCP1407-E/P Microchip SMD or Through Hole | MCP1407-E/P.pdf | |
![]() | LC75710E | LC75710E SANYO QFP | LC75710E.pdf | |
![]() | N25301SP210E | N25301SP210E Agilent BGA | N25301SP210E.pdf | |
![]() | MC33972ATEWR2 | MC33972ATEWR2 FSLAUTO QFN | MC33972ATEWR2.pdf | |
![]() | 2SB736A/B53 | 2SB736A/B53 NEC SOT-23 | 2SB736A/B53.pdf | |
![]() | SMQS8540P27X0 | SMQS8540P27X0 NU SMD or Through Hole | SMQS8540P27X0.pdf |