창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IM02EB221K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IM Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | IM | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
유형 | 성형 | |
소재 - 코어 | 페라이트 | |
유도 용량 | 220µH | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전류 | 52mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 21옴최대 | |
Q @ 주파수 | 30 @ 790kHz | |
주파수 - 자기 공진 | 9MHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
주파수 - 테스트 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.095" Dia x 0.250" L(2.41mm x 6.35mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 541-1489 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IM02EB221K | |
관련 링크 | IM02EB, IM02EB221K 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D910JXPAJ | 91pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910JXPAJ.pdf | |
![]() | VJ1825Y683KBEAT4X | 0.068µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y683KBEAT4X.pdf | |
![]() | 8957100000 | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 24VDC Coil Socketable | 8957100000.pdf | |
![]() | RT1210WRD0786R6L | RES SMD 86.6 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0786R6L.pdf | |
![]() | AF164-FR-0791RL | RES ARRAY 4 RES 91 OHM 1206 | AF164-FR-0791RL.pdf | |
![]() | AGDX533AAXF0CC | AGDX533AAXF0CC AMD BGA | AGDX533AAXF0CC.pdf | |
![]() | TH72006KLD | TH72006KLD Melexis QFN3x3dual (tube) | TH72006KLD.pdf | |
![]() | H40526MNG | H40526MNG M-TEK SOP40 | H40526MNG.pdf | |
![]() | PP5100 | PP5100 N/A QFP | PP5100.pdf | |
![]() | GEFORCE-DDR3 | GEFORCE-DDR3 NVIDIA FBGA3535 | GEFORCE-DDR3.pdf | |
![]() | 74HC125PWR | 74HC125PWR NXP SMD or Through Hole | 74HC125PWR.pdf | |
![]() | PM50RL1060 | PM50RL1060 ORIGINAL SMD or Through Hole | PM50RL1060.pdf |