창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IGW75N60T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IGW75N60T | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 03/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | TrenchStop® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 225A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A | |
전력 - 최대 | 428W | |
스위칭 에너지 | 4.5mJ | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 470nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 33ns/330ns | |
테스트 조건 | 400V, 75A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IGW75N60TFKSA1 SP000054927 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IGW75N60T | |
관련 링크 | IGW75, IGW75N60T 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C907U120JYSDAAWL20 | 12pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U120JYSDAAWL20.pdf | |
![]() | ECS-36-S-4X | 3.6864MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-36-S-4X.pdf | |
![]() | 7M-38.400MEEQ-T | 38.4MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-38.400MEEQ-T.pdf | |
![]() | ASTMHTA-10.000MHZ-XC-E-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-10.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
![]() | RCP2512W1K20JTP | RES SMD 1.2K OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W1K20JTP.pdf | |
![]() | CMF202K4000JNEB | RES 2.4K OHM 1W 5% AXIAL | CMF202K4000JNEB.pdf | |
![]() | 900/1M-SL6NJ | 900/1M-SL6NJ INTEL BGA | 900/1M-SL6NJ.pdf | |
![]() | IP-J12-CZ | IP-J12-CZ IP SMD or Through Hole | IP-J12-CZ.pdf | |
![]() | ADD5203ACPZ-RL | ADD5203ACPZ-RL ADI SMD or Through Hole | ADD5203ACPZ-RL.pdf | |
![]() | RY513005 | RY513005 ORIGINAL DIP | RY513005.pdf | |
![]() | C3320/D1071/C2625/C4242 | C3320/D1071/C2625/C4242 FUJI TO-3P | C3320/D1071/C2625/C4242.pdf | |
![]() | MAX3227EE | MAX3227EE ORIGINAL SSOP16 | MAX3227EE.pdf |