창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IGB15N60TATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IGB15N60T | |
PCN 설계/사양 | Imide Solder Chg 1/Sep/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | TrenchStop® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 45A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 15A | |
전력 - 최대 | 130W | |
스위칭 에너지 | 570µJ | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 87nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 17ns/188ns | |
테스트 조건 | 400V, 15A, 15 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IGB15N60T IGB15N60T-ND SP000054921 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IGB15N60TATMA1 | |
관련 링크 | IGB15N60, IGB15N60TATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ1210Y823JBAAT4X | 0.082µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y823JBAAT4X.pdf | ||
520N05CT20M0000 | 20MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 2mA | 520N05CT20M0000.pdf | ||
PLTT0805Z6420AGT5 | RES SMD 642 OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z6420AGT5.pdf | ||
CMF6012R100FKR6 | RES 12.1 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6012R100FKR6.pdf | ||
LBAT54CLT1G | LBAT54CLT1G LRC SOT-23 | LBAT54CLT1G.pdf | ||
812H-1C-S-5VDC | 812H-1C-S-5VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 812H-1C-S-5VDC.pdf | ||
LTDJB | LTDJB ORIGINAL SMD | LTDJB.pdf | ||
IP150K/BSS2 | IP150K/BSS2 IPS TO-3 | IP150K/BSS2.pdf | ||
MC-10170F1-CA9-E2-A | MC-10170F1-CA9-E2-A NEC SMD or Through Hole | MC-10170F1-CA9-E2-A.pdf | ||
01P-L06.Y | 01P-L06.Y ORIGINAL SMD or Through Hole | 01P-L06.Y.pdf | ||
LM285MX-2.5TR | LM285MX-2.5TR NS SMD or Through Hole | LM285MX-2.5TR.pdf | ||
T07F12C | T07F12C FUJI SMD or Through Hole | T07F12C.pdf |