창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IFR27POTOSE02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IFR27POTOSE02 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IFR27POTOSE02 | |
| 관련 링크 | IFR27PO, IFR27POTOSE02 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1825A102KBCAT4X | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A102KBCAT4X.pdf | |
![]() | ABM7-13.560MHZ-D2Y-T | 13.56MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-13.560MHZ-D2Y-T.pdf | |
![]() | IXFH40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD | IXFH40N50Q.pdf | |
![]() | 74408941068 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 190 mOhm Max 1919 (4848 Metric) | 74408941068.pdf | |
![]() | M65834SP | M65834SP MIT DIP24 | M65834SP.pdf | |
![]() | BR25H020FJ-WE2 | BR25H020FJ-WE2 ROHM SMD or Through Hole | BR25H020FJ-WE2.pdf | |
![]() | SDCL1005C4N3STF | SDCL1005C4N3STF Sunlord SMD or Through Hole | SDCL1005C4N3STF.pdf | |
![]() | LTC6652AIMS8-2.5#PBF | LTC6652AIMS8-2.5#PBF LINEAR MSOP | LTC6652AIMS8-2.5#PBF.pdf | |
![]() | SPHE8202D-HL-171 | SPHE8202D-HL-171 SUNPLUS QFP | SPHE8202D-HL-171.pdf | |
![]() | 132-15SMG | 132-15SMG COILCRAFT SMD or Through Hole | 132-15SMG.pdf | |
![]() | K3507-Z | K3507-Z NEC SOT-252 | K3507-Z.pdf | |
![]() | RJ12P200 | RJ12P200 BOURNS SMD or Through Hole | RJ12P200.pdf |