창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-IDT7200SA45TDB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | IDT7200SA45TDB | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | NULL | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | IDT7200SA45TDB | |
관련 링크 | IDT7200S, IDT7200SA45TDB 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | MHQ0603P3N6CT000 | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 250 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P3N6CT000.pdf | |
![]() | RCS0402402KFKED | RES SMD 402K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS0402402KFKED.pdf | |
![]() | RNF14BTE22R1 | RES 22.1 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTE22R1.pdf | |
![]() | FSLT15P107G1E | FSLT15P107G1E FCT/WSI SMD or Through Hole | FSLT15P107G1E.pdf | |
![]() | 2SD863-E | 2SD863-E ORIGINAL TO-92 | 2SD863-E.pdf | |
![]() | K3S7V2000M-TC10TH0 | K3S7V2000M-TC10TH0 SAMSUNG TSOP | K3S7V2000M-TC10TH0.pdf | |
![]() | 2010 910K J | 2010 910K J TASUND SMD or Through Hole | 2010 910K J.pdf | |
![]() | RJHS438002 | RJHS438002 AMPHENOL ORIGINAL | RJHS438002.pdf | |
![]() | JANTXV1N5618 | JANTXV1N5618 MSC SMD or Through Hole | JANTXV1N5618.pdf | |
![]() | MGWI06-48S24 | MGWI06-48S24 MINMAX DC-DC | MGWI06-48S24.pdf | |
![]() | RC-0603FR-0733R | RC-0603FR-0733R YAGEO/PH SMD or Through Hole | RC-0603FR-0733R.pdf |