창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IDT71V65602S133BG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IDT71V65602S133BG | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA-119 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IDT71V65602S133BG | |
| 관련 링크 | IDT71V6560, IDT71V65602S133BG 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GL270F33CDT | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL270F33CDT.pdf | |
![]() | RNF18FTD1R10 | RES 1.1 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD1R10.pdf | |
![]() | HM2P07PDU1A1N9LF | HM2P07PDU1A1N9LF FCIELECTRONICS SMD or Through Hole | HM2P07PDU1A1N9LF.pdf | |
![]() | 1N6816R | 1N6816R MICROSEMI SMD | 1N6816R.pdf | |
![]() | 6.8K(6801)±1%1206 | 6.8K(6801)±1%1206 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6.8K(6801)±1%1206.pdf | |
![]() | BAT54S (WV4) | BAT54S (WV4) PHI SOT-23 1 | BAT54S (WV4).pdf | |
![]() | TMP47C432AN | TMP47C432AN TOSHIBA DIP | TMP47C432AN.pdf | |
![]() | MAX1321CNG | MAX1321CNG MAXIM DIP | MAX1321CNG.pdf | |
![]() | GRM1M2R61A105ME19D | GRM1M2R61A105ME19D ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM1M2R61A105ME19D.pdf | |
![]() | NE57810S/N1 | NE57810S/N1 NXPSEMICONDUCTORS SMD | NE57810S/N1.pdf | |
![]() | 3508741 | 3508741 TYCOAMP SMD or Through Hole | 3508741.pdf | |
![]() | KM68V4002BJ12 | KM68V4002BJ12 SAM SOJ | KM68V4002BJ12.pdf |