창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IDD08SG60CXTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IDD08SG60C | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | thinQ!™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.1V @ 8A | |
| 속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 0ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 70µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 240pF @ 1V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IDD08SG60C IDD08SG60C-ND SP000411548 SP000786810 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IDD08SG60CXTMA1 | |
| 관련 링크 | IDD08SG60, IDD08SG60CXTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | WPRT50AB-330RJB168 | RES CHAS MNT 330 OHM 5% 50W | WPRT50AB-330RJB168.pdf | |
![]() | SM-4TW202 | SM-4TW202 COPAL SMD or Through Hole | SM-4TW202.pdf | |
![]() | UPD4082C | UPD4082C NEC DIP8 | UPD4082C.pdf | |
![]() | R1120N281B 2.8V 28xx | R1120N281B 2.8V 28xx RICOH SMD or Through Hole | R1120N281B 2.8V 28xx.pdf | |
![]() | TC54VN1502ECBTR | TC54VN1502ECBTR UNK DIODE | TC54VN1502ECBTR.pdf | |
![]() | LP2952IN-3.3 | LP2952IN-3.3 NS DIP | LP2952IN-3.3.pdf | |
![]() | D65949ST | D65949ST ST SMD or Through Hole | D65949ST.pdf | |
![]() | K4Y50164UE | K4Y50164UE SAMSUNG BGA | K4Y50164UE.pdf | |
![]() | USB2S03-HD | USB2S03-HD SMSC QFN | USB2S03-HD.pdf | |
![]() | IRF59414PBF | IRF59414PBF IR DirectFET | IRF59414PBF.pdf | |
![]() | RLZTE-114.7B-4V7 | RLZTE-114.7B-4V7 ROHM LL34 | RLZTE-114.7B-4V7.pdf | |
![]() | SCD1006T-202K-N | SCD1006T-202K-N CHILISIN NA | SCD1006T-202K-N.pdf |