창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HYS64V16220GU8/HYB39S64800AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HYS64V16220GU8/HYB39S64800AT | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIMM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HYS64V16220GU8/HYB39S64800AT | |
| 관련 링크 | HYS64V16220GU8/H, HYS64V16220GU8/HYB39S64800AT 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 7M25000196 | 25MHz ±25ppm 수정 20pF -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M25000196.pdf | |
![]() | 416F240XXASR | 24MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240XXASR.pdf | |
![]() | MS127-181MT | MS127-181MT FH SMD | MS127-181MT.pdf | |
![]() | 32R515R-10CH | 32R515R-10CH SILICON PLCC44 | 32R515R-10CH.pdf | |
![]() | 19-09-1036 | 19-09-1036 MOLEX SMD or Through Hole | 19-09-1036.pdf | |
![]() | WA84-100RJ | WA84-100RJ TTE SMD or Through Hole | WA84-100RJ.pdf | |
![]() | ET4116N-2 | ET4116N-2 S/N DIP16 | ET4116N-2.pdf | |
![]() | TCSCE0J156MAAR1500 | TCSCE0J156MAAR1500 SAMSUNG A(3216-16) | TCSCE0J156MAAR1500.pdf | |
![]() | CD4029BF | CD4029BF ORIGINAL DIP | CD4029BF .pdf | |
![]() | MLX15113D | MLX15113D MELEXIS SOP | MLX15113D.pdf | |
![]() | CTBGAB2 | CTBGAB2 ORIGINAL BGA-132D | CTBGAB2.pdf | |
![]() | NCV7341D21G | NCV7341D21G ON SOP14 | NCV7341D21G.pdf |