창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HYB511000AJ80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HYB511000AJ80 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOJ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HYB511000AJ80 | |
| 관련 링크 | HYB5110, HYB511000AJ80 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| CKG57KX7R2A335M335JJ | 3.3µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 비표준 SMD 0.236" L x 0.197" W(6.00mm x 5.00mm) | CKG57KX7R2A335M335JJ.pdf | ||
| -2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1101DI2-032.0000T | 32MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101DI2-032.0000T.pdf | |
|  | ASTMUPCV-33-122.880MHZ-EY-E-T | 122.88MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-122.880MHZ-EY-E-T.pdf | |
|  | NLV25T-3R9J-EFD | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 2.1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-3R9J-EFD.pdf | |
|  | ISC1210ER39NM | 39nH Shielded Wirewound Inductor 530mA 240 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER39NM.pdf | |
| .jpg) | RT1210FRD0720R5L | RES SMD 20.5 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0720R5L.pdf | |
|  | CPL07R0200FE14 | RES 0.02 OHM 7W 1% AXIAL | CPL07R0200FE14.pdf | |
|  | 100nf 50v 1206 | 100nf 50v 1206 HEC 1206 | 100nf 50v 1206.pdf | |
|  | TC427COA/EOA | TC427COA/EOA TC SOP-8 | TC427COA/EOA.pdf | |
|  | 65.628M | 65.628M ORIGINAL SMD or Through Hole | 65.628M.pdf | |
|  | F761504B/P-TA | F761504B/P-TA hp BGA | F761504B/P-TA.pdf | |
|  | K9G8G08U0A-IIB00 | K9G8G08U0A-IIB00 samsung 52ULGA | K9G8G08U0A-IIB00.pdf |