창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HYB396S640800AT-8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HYB396S640800AT-8 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TSOP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HYB396S640800AT-8 | |
관련 링크 | HYB396S640, HYB396S640800AT-8 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MALSECL00AE333BARK | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 260 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | MALSECL00AE333BARK.pdf | |
![]() | 416F25033ITT | 25MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25033ITT.pdf | |
![]() | CKP2520M1R5M-T | 1.5µH Unshielded Multilayer Inductor 1.3A 90 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | CKP2520M1R5M-T.pdf | |
![]() | RG1608N-753-W-T1 | RES SMD 75K OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-753-W-T1.pdf | |
![]() | RCP2512W43R0JS6 | RES SMD 43 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W43R0JS6.pdf | |
![]() | 117VU | 117VU ORIGINAL DFN-10 | 117VU.pdf | |
![]() | EP2SGX90F1508 | EP2SGX90F1508 ORIGINAL SMD or Through Hole | EP2SGX90F1508.pdf | |
![]() | TMPZ84C015AF | TMPZ84C015AF ORIGINAL QFP | TMPZ84C015AF.pdf | |
![]() | UPD65006G-294-12 | UPD65006G-294-12 NEC QFP | UPD65006G-294-12.pdf | |
![]() | C3216X7R2E683KT | C3216X7R2E683KT TDK SMD or Through Hole | C3216X7R2E683KT.pdf | |
![]() | SN75436N | SN75436N TI DIP | SN75436N.pdf | |
![]() | TEPSGV0E227k12R | TEPSGV0E227k12R NEC SMD | TEPSGV0E227k12R.pdf |