창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HYB18T256324C-20 GDDR3 8M*32 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HYB18T256324C-20 GDDR3 8M*32 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | FBGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HYB18T256324C-20 GDDR3 8M*32 | |
| 관련 링크 | HYB18T256324C-20, HYB18T256324C-20 GDDR3 8M*32 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SRP5030TA-1R5M | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 6A 25 mOhm Max Nonstandard | SRP5030TA-1R5M.pdf | |
![]() | CRCW06032R40FKEA | RES SMD 2.4 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06032R40FKEA.pdf | |
![]() | RC1206FR-07464KL | RES SMD 464K OHM 1% 1/4W 1206 | RC1206FR-07464KL.pdf | |
![]() | CRCW040216R0JNTD | RES SMD 16 OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW040216R0JNTD.pdf | |
![]() | 4609M-101-203LF | RES ARRAY 8 RES 20K OHM 9SIP | 4609M-101-203LF.pdf | |
![]() | H4237RBZA | RES 237 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4237RBZA.pdf | |
![]() | 102166042 | 102166042 AMP SMD or Through Hole | 102166042.pdf | |
![]() | IBM04364AQLAD 21L0614 5P | IBM04364AQLAD 21L0614 5P IBM BGA | IBM04364AQLAD 21L0614 5P.pdf | |
![]() | 613C | 613C ORIGINAL DIP24 | 613C.pdf | |
![]() | LC78646EH-UM-E(P/B) | LC78646EH-UM-E(P/B) SANYO QFP | LC78646EH-UM-E(P/B).pdf | |
![]() | 42818-0312-P | 42818-0312-P ORIGINAL NEW | 42818-0312-P.pdf |