창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HY64SD16160B-DF85EDR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HY64SD16160B-DF85EDR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HY64SD16160B-DF85EDR | |
| 관련 링크 | HY64SD16160B, HY64SD16160B-DF85EDR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| USA1E100MDD1TP | 10µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | USA1E100MDD1TP.pdf | ||
![]() | BFC237590483 | 100pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | BFC237590483.pdf | |
| MDWK4040T100MM | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 194 mOhm Max Nonstandard | MDWK4040T100MM.pdf | ||
![]() | IHSM7832PJ470K | 47µH Unshielded Inductor 2.6A 120 mOhm Max Nonstandard | IHSM7832PJ470K.pdf | |
![]() | N10M-NS-B--A2 | N10M-NS-B--A2 NVIDIA BGA | N10M-NS-B--A2.pdf | |
![]() | SN75HVD22DR | SN75HVD22DR TI SOP8 | SN75HVD22DR.pdf | |
![]() | MT48LC8M8A2TG-10 | MT48LC8M8A2TG-10 MICRON TSOP | MT48LC8M8A2TG-10.pdf | |
![]() | NEC 2SA1175 | NEC 2SA1175 ORIGINAL SMD or Through Hole | NEC 2SA1175.pdf | |
![]() | 23-6802-G4-A30.1% | 23-6802-G4-A30.1% ORIGINAL SMD or Through Hole | 23-6802-G4-A30.1%.pdf | |
![]() | NB7L33MMNG | NB7L33MMNG ORIGINAL SMD or Through Hole | NB7L33MMNG.pdf | |
![]() | 2SC3689TB | 2SC3689TB SANYO SOT-23 | 2SC3689TB.pdf | |
![]() | 2SC3601E | 2SC3601E SAY SMD or Through Hole | 2SC3601E.pdf |