창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HY628100BLLG-55E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HY628100BLLG-55E | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HY628100BLLG-55E | |
관련 링크 | HY628100B, HY628100BLLG-55E 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
UPM1A821MHD6TO | 820µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM1A821MHD6TO.pdf | ||
![]() | BFC233450474 | 0.47µF Film Capacitor 275V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | BFC233450474.pdf | |
![]() | G83270025 | 32.768kHz ±20ppm 수정 9pF 70k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | G83270025.pdf | |
![]() | IRF730ASTRRPBF | IRF730ASTRRPBF IR D2PAK | IRF730ASTRRPBF.pdf | |
![]() | S1D5514C12-AO | S1D5514C12-AO Samsung IC | S1D5514C12-AO.pdf | |
![]() | PMM5304B | PMM5304B SANYO SMD or Through Hole | PMM5304B.pdf | |
![]() | 2627N54FAB | 2627N54FAB HITACHI QFP | 2627N54FAB.pdf | |
![]() | M7582-05 | M7582-05 HARWIN SMD or Through Hole | M7582-05.pdf | |
![]() | 18CV8PI-15 | 18CV8PI-15 ICT DIP20 | 18CV8PI-15.pdf | |
![]() | K4D263238A-6C45 | K4D263238A-6C45 SAMSUNG BGA | K4D263238A-6C45.pdf |