창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HY18TC1G160BF-3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HY18TC1G160BF-3G | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HY18TC1G160BF-3G | |
관련 링크 | HY18TC1G1, HY18TC1G160BF-3G 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
VJ0402D2R2CLCAP | 2.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2CLCAP.pdf | ||
GRM0335C1E7R8DD01D | 7.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E7R8DD01D.pdf | ||
TAJX476M016RNJ | 47µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJX476M016RNJ.pdf | ||
CM309E20000000AANT | 20MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E20000000AANT.pdf | ||
UH2BHE3/5BT | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | UH2BHE3/5BT.pdf | ||
M21261-11P | M21261-11P MINDSPEED QFN | M21261-11P.pdf | ||
600L1R7BT200T | 600L1R7BT200T ATC SMD | 600L1R7BT200T.pdf | ||
CD8437 | CD8437 ORIGINAL SMD or Through Hole | CD8437.pdf | ||
MAX477 | MAX477 ATMEL DIP | MAX477.pdf | ||
AM29LV256ML-113RFI | AM29LV256ML-113RFI AMD TSOP | AM29LV256ML-113RFI.pdf | ||
RK73H2HTTED3R30F | RK73H2HTTED3R30F KOA SMD or Through Hole | RK73H2HTTED3R30F.pdf |