창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HUFA75852G3_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HUFA75852G3_F085 | |
비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 480nC(20V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7690pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HUFA75852G3_F085 | |
관련 링크 | HUFA75852, HUFA75852G3_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SDR1006-272KL | 2.7mH Unshielded Wirewound Inductor 140mA 11.6 Ohm Max Nonstandard | SDR1006-272KL.pdf | ||
HSC250220RJ | RES CHAS MNT 220 OHM 5% 250W | HSC250220RJ.pdf | ||
48031/52181R4641 | 48031/52181R4641 INTERSIL SMD24 | 48031/52181R4641.pdf | ||
EWC4000-FZG | EWC4000-FZG ORIGINAL QFN | EWC4000-FZG.pdf | ||
UPC3511CXMS | UPC3511CXMS NEC DIP | UPC3511CXMS.pdf | ||
X6422-2 | X6422-2 ST DIP24 | X6422-2.pdf | ||
82V3012PV | 82V3012PV IDT SMD or Through Hole | 82V3012PV.pdf | ||
CN8330EPJD. | CN8330EPJD. CONEXANT PLCC | CN8330EPJD..pdf | ||
MAX5912ESE+T | MAX5912ESE+T Maxim SMD or Through Hole | MAX5912ESE+T.pdf | ||
UPD61154F1 | UPD61154F1 NEC BGA | UPD61154F1.pdf | ||
KS57P5312N | KS57P5312N SAMSUNG DIP | KS57P5312N.pdf |