창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HUF76439S3ST | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HUF76439S3S | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2745pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | HUF76439S3ST-ND HUF76439S3STTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HUF76439S3ST | |
| 관련 링크 | HUF7643, HUF76439S3ST 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RCP2512W51R0GEA | RES SMD 51 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W51R0GEA.pdf | |
![]() | AA-478-1 | AA-478-1 NDK SMD or Through Hole | AA-478-1.pdf | |
![]() | LM5034MT-P1 | LM5034MT-P1 NS TSSOP | LM5034MT-P1.pdf | |
![]() | R1130H181A-T1 | R1130H181A-T1 RICOH SOT89-5 | R1130H181A-T1.pdf | |
![]() | TMS3200M270 | TMS3200M270 ORIGINAL BGA | TMS3200M270.pdf | |
![]() | 04AXD5T | 04AXD5T TMS QFP | 04AXD5T.pdf | |
![]() | BTFW10R-3RBTAE1 | BTFW10R-3RBTAE1 FCI SMD or Through Hole | BTFW10R-3RBTAE1.pdf | |
![]() | ESDA6V2S6 | ESDA6V2S6 ST SSOP-20 | ESDA6V2S6.pdf | |
![]() | 74VHC373AMTCX | 74VHC373AMTCX FSC TSOP5.2 | 74VHC373AMTCX.pdf | |
![]() | HG2-SSUL | HG2-SSUL NAIS SMD or Through Hole | HG2-SSUL.pdf | |
![]() | XM22BH | XM22BH ORIGINAL SMD-16 | XM22BH.pdf |