창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HUF75645S3ST | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HUF75645P3, HUF75645S3S | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 238nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3790pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 310W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | HUF75645S3STTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HUF75645S3ST | |
| 관련 링크 | HUF7564, HUF75645S3ST 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SR155A220JAA | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A220JAA.pdf | |
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![]() | RT0402DRD0726K7L | RES SMD 26.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD0726K7L.pdf | |
![]() | TNPW201011K8BETF | RES SMD 11.8K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201011K8BETF.pdf | |
![]() | SDC1608C6N8JT | SDC1608C6N8JT DBTEL WHITE | SDC1608C6N8JT.pdf | |
![]() | HY27US16562A-TPCB | HY27US16562A-TPCB HYNIX TSOP | HY27US16562A-TPCB.pdf | |
![]() | C2012X7R1H152KT | C2012X7R1H152KT ORIGINAL SMD or Through Hole | C2012X7R1H152KT.pdf | |
![]() | S-80742AL-A6-T1 | S-80742AL-A6-T1 SEIKO SOT89 | S-80742AL-A6-T1.pdf | |
![]() | 5N2803 | 5N2803 HITACHI/RENESAS TO-3P | 5N2803.pdf | |
![]() | TMRS-304 | TMRS-304 NETD SMD or Through Hole | TMRS-304.pdf | |
![]() | CNY17-1-M | CNY17-1-M FSC DIP | CNY17-1-M.pdf |